当前，全球正处于能源结构转型与数字经济深度融合的关键阶段，功率半导体器件与集成电路作为电能转换、信号控制的核心载体，在More Than Moore中扮演着十分重要的角色，是支撑新能源汽车、AI算力中心、储能系统、工业自动化等战略性新兴产业升级的“工业粮食”，其技术突破与产业升级直接关系到全球产业链安全与能源利用效率革命。

从技术演进来看，功率半导体形成“硅基筑牢根基、宽禁带加速渗透、超宽禁带探索突破”的多层次发展格局。硅基器件作为产业基石，并未退出历史舞台，其在中低压、低成本场景中仍占据主导地位，同时通过超级结MOSFET、IGBT第七代技术迭代，持续提升能效与集成度，2026年全球硅基功率器件市场规模仍将保持10%以上增长，是工业控制、中低端新能源汽车等领域的核心支撑。在此基础上，行业加速向宽禁带材料迭代，形成碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）双线并行态势：SiC凭借高压、高温、高频特性，在电动车主驱逆变器、储能PCS系统中实现能效显著提升，器件效率较传统硅器件提升4.5%以上，储能系统能量损耗降低约60%；GaN则从消费电子快充领域向AI服务器电源、车载OBC等高端场景渗透，2026年非消费类应用占比将首次超过50%，推动电源系统功率密度提升50%以上。与此同时，以氧化镓（Ga₂O₃）为代表的超宽禁带器件成为行业研发热点，其在超高电压耐受、成本控制上具备独特优势，可广泛适配智能电网、航空航天等极端应用场景，尽管当前受散热性能不佳等瓶颈制约尚未实现规模化量产。

为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月25-27日在上海联合主办，“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”，会议内容将涵盖宽禁带碳化硅和氮化镓为代表的高压及低压等电力电子器件、功率集成电路、封装等几大主题，将覆盖晶圆制造、芯片设计及加工、模块封装、测试分析、EDA软件工具、设备制造、整机应用等产业链各环节。

一、 组织机构

指导单位：

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

主办单位：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

极智半导体产业网

第三代半导体产业

承办单位：

集成电路材料全国重点实验室

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

学术协办：

电子科技大学

南京邮电大学

大会主席：

狄增峰

联合主席：

张波、吴伟东、程新红、赵璐冰

程序委员会：

陈敬、张进成、柏松、唐为华、罗小蓉、张清纯、龙世兵、王来利、杨媛、张宇昊、杨树、刘斯扬、欧欣、章文通、陈敦军、耿博、郭清、蔡志匡、梁瑶、刘雯、邓小川、魏进、周琦、周弘、叶怀宇、张龙、包琦龙、金锐、姚佳飞、蒋其梦、明鑫、周春华、郑理、沈玲燕等

组织委员会

主　任：郑理

副主任：涂长峰、周学通、徐光伟、刘盼、魏杰

成　员：周峰、王珩宇、杨可萌、张珺、罗鹏、刘成、刘宇、张茂林、任开琳、王谦、张栋梁、刘晓博、王鹏、陈龙、李成、康俊杰、贾欣龙等

二、 主题及征文方向

1. S1-硅基功率器件与集成技术

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真与设计技术、器件测试表征技术、器件可靠性、器件制造技术、功率集成IC技术；

2. S2-碳化硅功率器件与集成技术

碳化硅功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

3. G1-氮化镓、III/V族化合物半导体功率器件与功率集成

氮化镓功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半导体功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

4. G2-氧化镓/金刚石功率器件与集成技术

氧化镓金刚石功率器件、器件设计与仿真技术、器件制造技术、器件测试与可靠性、可集成器件与功率集成技术；

5. P1-模组封装与应用技术

功率器件、模组与封装技术、先进封装技术与封装可靠性；

6. P2-面向功率器件及集成电路的核心材料、装备及制造技术

核心外延材料、晶圆芯片及封装材料、退火、刻蚀、离子注入等功率集成工艺平台与制造技术、制造、封装、检测及测试设备等；

7. P3-功率器件交叉领域及EDA

基于新材料（柔性材料、有机材料、薄膜材料、二维材料）的功率半导体器件设计、制造与集成技术；人工智能驱动的功率器件仿真，建模与设计、封装与测试。

三、 会议日程（拟）

*会议日程请以现场为准

参会与拟邀单位：

中电科五十五所、电子科技大学、英飞凌、华虹半导体、扬杰科技、士兰微、捷捷微电、英诺赛科、中科院上海微系统所、氮矽科技、中科院微电子所、中科院半导体所、三安半导体、芯联集成、斯达半导体、中国科学技术大学、浙江大学、东南大学、复旦大学、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、厦门大学、南京大学、天津大学、长飞半导体、华为、温州大学、海思半导体、瞻芯电子、基本半导体、华大九天、博世、中镓半导体、江苏宏微、苏州晶湛、百识电子、超芯星、南瑞半导体、西交利物浦大学、西安理工大学、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半导体、中科院纳米所、平湖实验室、北京工业大学、南方科技大学、华南师范大学、立川、国电投核力创芯、华中科技大学、上海大学等

四、 报名注册

注册费2800元，5月30日前注册报名2500元（含会议资料袋，26日午餐、欢迎晚宴、27日自助午餐及晚餐）。

对公汇款：

账户名称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

开户银行：中国银行北京科技会展中心支行

账　　号：336 356 029 261  

五、 联系咨询

1. 论文投稿及报告咨询

投稿录用后需现场参加POSTER展示，届时会评选出最佳POSTER，文章择优推荐到EI期刊《半导体学报》或《功能材料与器件学报》。

郑老师 15618636853 邮箱：zhengli@mail.sim.ac.cn

贾老师 18310277858 邮箱：jiaxl@casmita.com

李老师 18601994986 邮箱：linan@cspsd.cn

征文&投稿专用邮箱：paper@cspsd.cn

2. 赞助、展示及参会联系

贾先生 18310277858 邮箱：jiaxl@casmita.com

张女士 13681329411 邮箱：zhangww@casmita.com